우리대학 반도체공학과가 7.2:1의 치열한 경쟁률 끝에 40명의 첫 입학생과 함께 출범했다. 이는 재작년 11월 우리대학이 삼성전자와 체결한 ‘반도체 인력 양성 협약’의 일환으로, 반도체공학과 학부생은 삼성전자로부터 등록금 전액과 특별장학금을 지원받아 졸업 후 삼성전자에 채용된다. 우리대학의 강점인 다수의 첨단시설 기반을 적극 활용함과 동시에 향후 반도체 산업을 이끌어갈 △리더형 △실전형 △논리형 인재를 육성하기 위해 반도체공학과 설립에 힘을 실었다.

올해 반도체공학과 소속 입학생은 무은재학부 1학년과 동일하게 신입생 기본 교육과정을 마친 후 내년부터 본격적인 전공 교육과정에 들어선다. 반도체공학과 STC 과목으로 △반도체를 위한 물리 △반도체 소자I △반도체소재개론 교과목이 개설된다. 또한, 반도체공학과만의 차별화된 특별 교과목으로 여름 계절학기에만 운영되는 국내외 현장 연수 등을 개설 예정이며, TAB(Technical Advisory Board) 프로그램을 추진해 △IBM researcher △google 전문연구인력 △해외 유수 대학의 전문가 등 9명 이상을 확보하고 있다. 별도의 혜택으로 PSLF(POSTECH Semiconductor Leader Fellowship) 장학생 제도는 최상위권 잠재력을 지닌 4명의 학생에게 장학 지원을 비롯한 해외 연수 및 학계와의 네트워킹을 제공한다. 졸업 이수 요건은 기존 학과와 동일하게 △기초과목 30학점 △교양과목 30학점 △STC 과목 15학점 △영어프로그램 2등급 이상을 취득해야 하고, 이에 △전공필수 26학점 △전공선택 34학점을 더해 총 120학점을 이수한 학생은 졸업 자격이 주어진다. 한편 반도체공학과 학부생은 기존 학과를 복수전공 또는 부전공할 수 있으며, 타과로의 전과에 대해서는 현행 규정상 불가하나 학과 인원을 1:1로 교환하는 대안을 교육부와 협의 중에 있다. 졸업학점 외에 필수 이수 활동은 없지만, 반도체공학과 행정팀은 “학부생에게 최소 1회 이상의 해외 연수를 기획하고 있으니 개개인의 적극적인 참여를 기대한다”라고 밝혔다.

반도체공학과 대학원은 오는 2학기부터 입학전형을 시행하며, 반도체공학과 학부생의 경우 석사 과정과 ‘3+3 학사·석박사 연계 집중교육 프로그램’을 통한 석박사 통합과정에 연계 진학이 가능하다. 이는 사회 진출을 한발 앞당기길 원하는 우수 인재들의 수요를 예상한 조기 졸업제도로, 매년 학부생을 대상으로 △예비후보 선정 △집중교육 트랙 병행 △교육성과 심사 등을 거쳐 입학 대상자를 최종 결정한다. 우리대학 타과 또는 타 대학 졸업자는 석박사 통합과정과 석사 과정으로 자유로운 입학이 가능하다.

타과들과 마찬가지로 반도체공학과의 학과 사무실과 학부생 커뮤니티 공간은 제2공학관 1층 동편에 들어선다. C5 4층에는 강의실과 대학원생 공간 등이 마련된다. 앞으로 리모델링 공사를 거쳐 제2공학관 1층 공간은 오는 5월 중으로, C5 4층 공간은 오는 8월경부터 개방될 예정이다.