기사 (1건) 리스트형 웹진형 타일형 신세대 메모리, 3차원으로 도약하다 신세대 메모리, 3차원으로 도약하다 낸드 플래시 메모리는 1984년 일본 도시바(Toshiba)에서 Fujio Masuoka 박사가 처음으로 개발하였으며, 플래시 메모리의 용량이 1.5년에 2배씩 증가한다는 무어 (Moore)의 법칙을 충실히 따라가면서 급속한 미세화를 진행해왔다. 낸드 플래시 메모리는 기존의 휘발성 메모리인 dynamic random access memory (DRAM) 등과 다르게, 비휘발성 메모리이다. 그림1과 같이 낸드 플래시 메모리는 control gate (CG) 에 높은 전압을 인가하여, Fowler-Nordheim (FN) tunneling 효과를 이용함으로써 tunnel 산화막(SiO2 또는 oxide)을 통해 전자를 floating gate (FG) 에 삽입하거나 추출하는 방식으로 정보(bit)를 쓰고 지우게 된다. 과거에는 FG에 폴리실리콘 (polycrystalline-Silicon) 물질을 이용하였지만, 현재는 더욱 크기를 작게 차지하는 실리콘질화막 (SiN 또는 nitride)을 이용한 절연체 구조인 SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)를 낸드 플래시 메모리에 많이 적용하고 있다. 폴리실리콘 물질인 FG와 달리, 기획 | 이정수(전자)교수, 김정식(전자 박사과정) | 2015-09-23 12:24 처음처음1끝끝