반도체 산업은 최첨단 기술을 바탕으로 한 고도의 기술집약 산업이며, 정보화 시대의 발전을 이끌어가는 원동력이다. 1965년 제안된 무어의 법칙에 따르면, 매년 집적회로(IC)는 2배씩 집적도가 증가함을 예측하였는데, 이러한 경향을 지금까지도 유지할 수 있게 된 원동력은 반도체소자의 미세화(Scaling)기술과 공정기술의 혁신에 기인하다. 현재 우리의 삶에 크게 영향을 미치는 컴퓨터, 스마트폰 등의 정보통신기기들을 고성능, 저전력, 적정 가격으로 생산할 수 있는 근거도 반도체 소자의 미세화를 통해 가능해졌고, 그중에서 가장 중요한 메모리 반도체는 삼성전자와 SK하이닉스가 세계적인 경쟁력을 확보하고 있다. 메모리 반도체 미세화의 한계현재 널리 사용되고 있는 메모리는 트랜지스터 구조를 바탕으로 특정 장소에 전자를 저장함으로써 정보를 기억하는 공통분모를 가지고 있고, 어느 장소에 전자를 저장하느냐에 따라 크게 디램 (DRAM)과 플래시 (FLASH) 메모리로 분류된다. 아래 그림과 같이 메모리 반도체의 크기가 줄어들게 되면, 더 높은 용량을 갖게 되기 때문에 미세화가 집적도 향상에 핵심으로 작용한다. 현재 14nm급 반도체가 대량생산이 되고 있지만, 장기적으로 7n
기획 | 우지용 (신소재, 박사과정) | 2015-09-23 12:21
