2008년 여름, 당시 오하이오주립대 박사과정을 밟고있던 우리대학 동문 이동헌(신소재 96) 씨는 통신위성이나 군사용 제품에 사용되는 갈륨비소(GaAs) 반도체를 이용해 도핑원자 특성을 연구하던 중 원자가 하나 빠져 있는 격자점을 찾아냈다. 이른바, ‘불량’ 반도체였다. 시험 삼아 이 격자점에 옆 원자를 밀어넣자, 마치 퍼즐 장난감처럼 빈 격자점의 위치가 계속 바뀌며 원자의 위치가 아예 다시 배열되는 것을 발견한 이 씨는 불량반도체를 오히려 새로운 고성능의 반도체 개발에 적용할 수 있다는 사실을 깨달았다.

 이후 이동헌 박사-오하이오주립대 J.A. 굽타(Gupta) 교수팀은 이 연구결과를 ‘갈륨비소 반도체 내 전하를 띠는 결함을 이용, 도핑 원자의 결합에너지 조절’이란 제목으로 지난 12월 23일 발간된 사이언스지를 통해 발표했다.

 우리대학 신소재공학과에서 학사과정을 마치고 오하이오주립대 대학원으로 진학한 이동헌 씨는 “일반적으로 물질의 결함은 성능 향상을 위해 가능한 많이 제거해야하는 것으로 생각되고 있지만, 시각을 바꾸면 결함이 오히려 유용하게 사용될 수 있다는 점이 의미가 있다”며 “반도체 산업에 이처럼 원자를 조절하는 기술이 적용되면 컴퓨터의 속도를 더욱 빠르게 할 수 있을 뿐 아니라 양자컴퓨터로 대표되는 새로운 패러다임의 컴퓨터 실현에도 기여할 수 있을 것”이라고 밝혔다.