우리대학 노용영(화공) 교수팀이 납 성분 없는 페로브스카이트에 탄소나노튜브(CNT)를 혼합해 높은 안정성을 지닌 복합 반도체 트랜지스터를 개발했다. 페로브스카이트는 실리콘 태양전지를 대신할 소재로 주목됐다. 하지만 납으로 인한 독성과 낮은 전하 이동도, 잦은 히스테리시스로 인해 실제로 활용하기는 어려웠다. 이를 해결하기 위해 연구팀은 납이 포함되지 않은 페로브스카이트와 고순도로 분리된 탄소나노튜브를 혼합한 복합 반도체 소자를 구현하는 방식을 취했다. 이를 통해 소재의 동작 안정성을 획기적으로 개선해 히스테리시스를 줄이고 전하의 이동도를 기존 대비 5배 이상 향상시켰다. 이 연구는 나노 분야 권위지인 ‘ACS Nano’의 표지논문으로 게재됐다. 
노 교수는 “본 연구는 납을 사용하지 않은 페로브스카이트 소자의 낮고 불안정한 성능에 대한 개선방향을 제시한 세계 최초의 연구로서 개발된 포토트랜지스터의 성능은 세계 최고 수준”이라며 “이 기술의 향후 개발을 통해 폴더블 디스플레이 구동용 트랜지스터, 유연한 웨어러블 전자소자의 회로용 트랜지스터, 착용형 가상현실 디바이스용 유연 광센서 등으로 활용할 수 있을 것”이라고 기대감을 밝혔다.